3-D芯片延边干式变压器材料

　　3-D芯片延边干式变压器材料是集成电路(IC)，其包含执行数字，模拟，图像处理和神经网络功能的三维互连设备阵列，单独或组合。

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　　3-D芯片技术解决了许多问题，这些问题一直在挑战寻求性能提升和处理器尺寸减小的芯片制造商。随着芯片变得越来越小和越来越强大，连接越来越多的晶体管的导线必然变得更薄并且更紧密，导致电阻增加和过热。两者都可能导致信号延迟，从而限制了中央处理单元的时钟速度。

　　2007年4月，IBM和Rensselaer Polytechnic Institute(RPI)研究人员在IBM T.J.的合作伙伴关系中宣布了新版3-D芯片。沃森研究中心，得到了国防高级研究计划局(DARPA)的支持。这些3-D芯片使用称为晶圆键合的技术将一个芯片层叠在另一个芯片上。虽然一些公司目前通过一个接一个地分层处理器来封装处理器，但IBM的技术使用一个硅基层，其中有源晶片分层。这允许工程师将处理器放置在堆栈的底部，然后在顶部层叠存储器或其他组件，导致连接器长度减少一千倍，因为芯片不再以二维布局组织，并且连接线芯片外围的晶体管。这减少了数据必须行进的距离，从而加快了处理速度。同样，连接器密度增加了一百倍，大大减小了芯片的尺寸。